MEMS气敏传感器基底层结构的制作方法

本技术涉及气敏传感器，特别涉及一种mems气敏传感器基底层结构。

背景技术：

1、mems全称micro electromechanical system，微机电系统，是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。是在微电子技术(半导体制造技术)基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。

2、气敏传感器是用来检测气体浓度和成分的传感器，它对于环境保护和安全监督方面起着极重要的作用。气敏传感器是暴露在各种成分的气体中使用的，由于检测现场温度、湿度的变化很大，又存在大量粉尘和油雾等，所以其工作条件较恶劣，而且气体对传感元件的材料会产生化学反应物，附着在元件表面，往往会使其性能变差。所以对气敏传感器有下列要求：能够检测报警气体的允许浓度和其他标准数值的气体浓度，能长期稳定工作，重复性好，响应速度快，共存物质所产生的影响小等。

3、而采用传统工艺所制作的带有陶瓷管结构的气敏传感器，具有体积大、材料消耗多、一致性差、功耗大等缺点。

4、因此，提出一种新的mems气敏传感器基底层结构用于解决上述问题很有必要。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种mems气敏传感器基底层结构，以解决采用传统工艺所制作的带有陶瓷管结构的气敏传感器，具有体积大、材料消耗多、一致性差、功耗大等缺点的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种mems气敏传感器基底层结构，包括硅基底层，所述硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和微加热层，所述微加热层的上表面设置有保护材料层，所述保护材料层上表面的两端均设置有微电极，两个微电极之间电性连接有气敏材料层。

3、优选的，所述硅基底层的底部中段设置有通槽，所述通槽贯穿硅基底层。

4、优选的，所述通槽呈梯形状，且其上端的宽度小。

5、优选的，所述硅基底层底部的两端均设置有第三绝缘材料层。

6、优选的，所述微加热层的内部固定镶嵌有微加热器，所述微加热器设置为多个，多个微加热器等距离分布。

7、本实用新型mems气敏传感器基底层结构有益技术效果在于：通过在硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层等结构，且其厚度均是微米甚至纳米量级，具有体积小、节约材料等优点。

技术特征：

1.一种mems气敏传感器基底层结构，其特征在于：包括硅基底层(1)，所述硅基底层(1)上方依次层叠有第一绝缘材料层(4)、第二绝缘材料层(5)和微加热层(6)，所述微加热层(6)的上表面设置有保护材料层(7)，所述保护材料层(7)上表面的两端均设置有微电极(3)，两个微电极(3)之间电性连接有气敏材料层(2)。

2.根据权利要求1所述的mems气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述硅基底层(1)的底部中段设置有通槽(10)，所述通槽(10)贯穿硅基底层(1)。

3.根据权利要求2所述的mems气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述通槽(10)呈梯形状，且其上端的宽度小。

4.根据权利要求1所述的mems气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述硅基底层(1)底部的两端均设置有第三绝缘材料层(8)。

5.根据权利要求1所述的mems气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述微加热层(6)的内部固定镶嵌有微加热器(9)，所述微加热器(9)设置为多个，多个微加热器(9)等距离分布。

技术总结
本技术公开一种MEMS气敏传感器基底层结构，其包括硅基底层，所述硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和微加热层，所述微加热层的上表面设置有保护材料层，所述保护材料层上表面的两端均设置有微电极，两个微电极之间电性连接有气敏材料层，所述硅基底层的底部中段设置有通槽，所述通槽贯穿硅基底层，所述通槽呈梯形状，且其上端的宽度小，所述硅基底层底部的两端均设置有第三绝缘材料层。该MEMS气敏传感器基底层结构，通过在硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层等结构，且其厚度均是微米甚至纳米量级，具有体积小、节约材料等优点。

技术研发人员：李中
受保护的技术使用者：苏州中芯微纳传感科技有限公司
技术研发日：20240321
技术公布日：2024/12/5